博士学术报告预告—毫米波InAlN/GaN HEMT直流特性的短沟道效应

发布日期:2021年03月29日 08:24  来源:  点击:[]


主要内容:由于禁带宽度大、电子饱和漂移速度大、临界击穿电场高等优异材料特性,氮化镓(GaN)被誉为是继硅(Si)和砷化镓(GaAs)后的第三代半导体材料,是目前全球半导体材料和电子器件的研究热点之一。InAlN/GaN 异质结构作为GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT毫米波应用的重要结构之一,在栅长缩短过程中,直流特性会遭受短沟道效应的恶化,严重影响了器件的可靠性。该报告就GaN HEMT直流特性的短沟道效应及其起源,进行汇报。

报告时间:2021年3月31日上午10:30

报告地点:8-307

主办单位:电子与控制工程学院、科技处

面向对象:电子与控制工程学院教师、学生及其他感兴趣的教职员工、学生。

人:韩铁成,工学博士,电子与控制工程学院教师。博士毕业于河北工业大学,从事Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体HEMT器件仿真,HEMT器件短沟道效应以及背势垒技术的研究。参与国家和省级纵向项目2项,学校课题1项,国内外重要期刊发表学术期刊论文7篇。



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